参数资料
| 型号： | NP1100SCMCT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC TSPD LOW CAP 100A 110V SMB |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 19/Jul/2012 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 击穿： | 130V |
| 电压 - 断路： | 90V |
| 电压 - 导通状态： | 4V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 400A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 100A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 33pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NPMC Series
ELECTRICAL PARAMETER/RATINGS DEFINITIONS
+I
Symbol
V DRM
V (BO)
Parameter
Repetitive Peak Off ? state Voltage
Breakover Voltage
I PPS
I TSM
I T
I DRM
I (BO)
I H
Off ? state Current
Breakover Current
Holding Current
? Voltage
I H
I (BO)
I DRM
V T
Off ? State Region
I D
+Voltage
V T
I T
I TSM
I PPS
V D
I D
On ? state Voltage
On ? state Current
Nonrepetitive Peak On ? state Current
Nonrepetitive Peak Impulse Current
Off ? state Voltage
Off ? state Current
V D
V (BO)
V DRM
? I
Figure 1. Voltage Current Characteristics of TSPD
100
10
100
50
Peak
Value
t r = rise time to peak value
t f = decay time to half value
Half Value
1
0.1
1
10 100
1000
0
0 t r
t f
CURRENT DURATION (s)
Figure 2. Nonrepetitive On ? State Current vs. Time
(I TSM )
40
35
30
25
TIME ( m s)
Figure 3. Nonrepetitive On ? State Impulse vs.
Waveform (I PPS )
20
15
10
5
0
+125 ° C
? 40 to +25 ° C
0
10
20
30
40
50
60
VOLTAGE (V)
Figure 4. Capacitance vs. Off ? State Voltage
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NP110N04PDG-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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