参数资料
型号: NP1300SAT3G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/5页
文件大小: 0K
描述: IC THY SURGE PROTECTOR 130V SMB
产品变化通告: TSPD Discontinuation 10/Jul/2012
标准包装: 2,500
电压 - 击穿: 160V
电压 - 断路: 120V
电压 - 导通状态: 4V
电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs): 50A
电流 - 保持 (Ih): 150mA
元件数: 1
电容: 46pF
封装/外壳: DO-214AA,SMB
包装: 带卷 (TR)
NP Series
ORDERING INFORMATION
Part Number
NP0640SAT3G
NP0640SBT3G
NP0640SCT3G
NP0720SAT3G
NP0720SBT3G
NP0720SCT3G
NP0900SAT3G
NP0900SBT3G
NP0900SCT3G
NP1100SAT3G
NP1100SBT3G
NP1100SCT3G
NP1300SAT3G
NP1300SBT3G
NP1300SCT3G
NP1500SAT3G
NP1500SBT3G
NP1500SCT3G
NP1800SAT3G
NP1800SBT3G
NP1800SCT3G
NP2100SAT3G
NP2100SBT3G
NP2100SCT3G
NP2300SAT3G
NP2300SBT3G
NP2300SCT3G
NP2600SAT3G
NP2600SBT3G
NP2600SCT3G
NP3100SAT3G
NP3100SBT3G
NP3100SCT3G
NP3500SAT3G
NP3500SBT3G
NP3500SCT3G
Marking
064A
064B
064C
072A
072B
072C
090A
090B
090C
110A
110B
110C
130A
130B
130C
150A
150B
150C
180A
180B
180C
210A
210B
210C
230A
230B
230C
260A
260B
260C
310A
310B
310C
350A
350B
350C
Case
SMB
(Pb ? Free)
Shipping ?
2500 / Tape and Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
4
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PDF描述
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NP1100SCT3G IC THY SURGE PROTECTOR 110V SMB
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参数描述
NP1300SBMCT3G 功能描述:硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
NP1300SBT3G 功能描述:硅对称二端开关元件 80A 130V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
NP1300SCMCT3G 功能描述:硅对称二端开关元件 TSPD NP 140V LO CAP RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
NP1300SCT3G 功能描述:硅对称二端开关元件 100A 130V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
NP1300SDMCT3G 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Current TSPD