参数资料
| 型号： | NP1800SBMCT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC TSPD SURGE DEVICE 80A SMB |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 19/Jul/2012 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 击穿： | 220V |
| 电压 - 断路： | 170V |
| 电压 - 导通状态： | 4V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 250A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 80A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 29pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NPMC Series
ELECTRICAL PARAMETER/RATINGS DEFINITIONS
+I
Symbol
V DRM
V (BO)
Parameter
Repetitive Peak Off ? state Voltage
Breakover Voltage
I PPS
I TSM
I T
I DRM
I (BO)
I H
Off ? state Current
Breakover Current
Holding Current
? Voltage
I H
I (BO)
I DRM
V T
Off ? State Region
I D
+Voltage
V T
I T
I TSM
I PPS
V D
I D
On ? state Voltage
On ? state Current
Nonrepetitive Peak On ? state Current
Nonrepetitive Peak Impulse Current
Off ? state Voltage
Off ? state Current
V D
V (BO)
V DRM
? I
Figure 1. Voltage Current Characteristics of TSPD
100
10
100
50
Peak
Value
t r = rise time to peak value
t f = decay time to half value
Half Value
1
0.1
1
10 100
1000
0
0 t r
t f
CURRENT DURATION (s)
Figure 2. Nonrepetitive On ? State Current vs. Time
(I TSM )
40
35
30
25
TIME ( m s)
Figure 3. Nonrepetitive On ? State Impulse vs.
Waveform (I PPS )
20
15
10
5
0
+125 ° C
? 40 to +25 ° C
0
10
20
30
40
50
60
VOLTAGE (V)
Figure 4. Capacitance vs. Off ? State Voltage
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP1800SBT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 80A 180V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NP1800SCMCT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NP1800SCT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 100A 180V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NP1800SDMCT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Current TSPD |
| NP1808 | 制造商:YAGEO 制造商全称:YAGEO Corporation 功能描述:SURFACE-MOUNT CERAMIC MULTILAYER CAPACITORS |
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