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参数资料
| 型号： | NP34N055SHE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 34A TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1 st , 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com
April 1 st , 2010
Renesas Electronics Corporation
Issued by: Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP34N055SLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 34A TO-252 |
| NP36N055SHE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 36A TO252 |
| NP36N055SLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 36A TO-252 |
| NP36P04KDG-E1-AY | MOSFET P-CH -40V -36A TO-263 |
| NP36P04SDG-E1-AY | MOSFET P-CH -40V -36A TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP34N055SLE-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 34A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP34W | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 3-G, 3 STRP MT BLANK, WH |
| NP3500SAMCT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:50A, Ultra Low Capacitance TSPD |
| NP3500SAT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A 350V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NP3500SB1T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 330V 80A SMB SPCL THY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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