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参数资料
| 型号： | NP36P04SDG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH -40V -36A TO-252 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 55nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NP36P04SDG-E1-AYDKR |
NP36P04SDG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
40
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
C iss
30
20
10
0
V GS = ? 4.5 V
? 10 V
I D = ? 18 A
Pulsed
1000
100
10
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C oss
C rss
-75
-25
25
75
125
175
225
-0.1
-1
-10
-100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
t d(off)
-40
-12
100
t f
-30
V DD = ? 32 V
? 20 V
? 8 V
-9
-20
-6
10
1
V DD = ? 20 V
V GS = ? 10 V
R G = 0 Ω
t r
t d(on)
-10
0
V DS
V GS
I D = ? 36 A
-3
0
-0.1
-1
-10
-100
0
10
20
30
40
50
60
-100
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1000
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
-10
-1
V GS = ? 10 V
0V
100
10
-0.1
di/dt = ? 100 A/ μ s
-0.01
Pulsed
1
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
-0.1
-1
-10
-100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D19074EJ2V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NP36P06SLG-E1-AY | 功能描述:MOSFET P-CH -60V -36A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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