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参数资料
| 型号： | NP50P06KDG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 50A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 95nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP50P06KDG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
40
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
C iss
30
V GS = ? 4.5 V
1000
C oss
20
10
0
? 10 V
I D = ? 25 A
Pulsed
100
10
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C rss
-75
-25
25
75
125
175
225
-0.1
-1
-10
-100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
-60
-12
100
10
t d(of f )
t f
t d(on)
t r
-50
-40
-30
-20
V DD = ? 48 V
? 30 V
? 12 V
V GS
-10
-8
-6
-4
V DD = ? 30 V
1
V GS = ? 10 V
R G = 0 Ω
-10
0
V DS
I D = ? 50 A
-2
0
-0.1
-1
-10
-100
0
20
40
60
80
100
-100
-10
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1000
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
V GS = ? 10 V
0V
100
-1
10
-0.1
-0.01
Pulsed
1
di/dt = ? 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
-0.1
-1
-10
-100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D18689EJ3V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP50P06SDG-E1-AY | MOSFET P-CH -60V 50A TO-252 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NP50P06SDG-E2-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NP5115 | 制造商:Electro-Term/Hollingsworth 功能描述: |
| NP5-12 | 功能描述:密封铅酸电池 YUASA/ENERSYS 12V 5A RoHS:否 制造商:CSB 输出电压:12 V 容量: 大小: 端接类型:Faston Tab |
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