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参数资料
| 型号： | NP52N06SLG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 52A T0-252 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 52A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17.5 毫欧 @ 26A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NP52N06SLG-E1-AYDKR |
NP52N06SLG
150
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
Pulsed
1000
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
T ch = ? 55°C
100
V GS = 10 V
100
10
1
? 25°C
25°C
75°C
125°C
150°C
175°C
50
0
V GS = 4.5 V
0.1
0.01
0.001
V DS = 10 V
Pulsed
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
3
2.5
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE
vs. CHANNEL TEMPERATURE
100
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
T ch = ? 55°C
? 25°C
25°C
2
1.5
1
10
1
75°C
125°C
150°C
175°C
0.5
V DS = 10 V
V DS = 10 V
0
I D = 1 mA
0.1
Pulsed
-60
-20
20
60
100
140
180
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. DRAIN CURRENT
50
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
40
Pulsed
35
40
30
I D = 42 A
30
25
20
I D = 26 A
I D = 10.4 A
20
10
0
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
15
10
5
0
Pulsed
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D18202EJ2V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
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PDF描述 |
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