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参数资料
| 型号： | NP60N03SUG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 60A TO-252 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.8 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NP60N03SUG-E1-AYDKR |
NP60N03SUG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
10
V GS = 10 V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100000
8
I D = 30 A
10000
6
4
1000
C iss
2
0
Pulsed
100
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C oss
C rss
-75
-25
25
75
125
175
225
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
50
10
40
V DD = 24 V
15 V
8
100
t d(off)
6V
t d(on)
30
V GS
6
10
t r
t f
20
4
1
V DD = 15 V
V GS = 10 V
R G = 0 Ω
10
0
V DS
I D = 60 A
2
0
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
1000
100
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
10
1
0.1
0.01
V GS = 10 V
0V
V GS = 0 V
0.001
Pulsed
10
di/dt = 100 A/ μ s
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D19547EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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PDF描述 |
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