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参数资料
| 型号： | NP80N04MLG-S18-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.8 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
NP80N04MLG, NP80N04NLG, NP80N04PLG
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
TO-220 (MP-25K)
TO-262 (MP-25SK)
10.0 ± 0.2
φ 3.8 ± 0.2
4.45 ± 0.2
1.3 ± 0.2
10.0 ± 0.2
4.45 ± 0.2
1.3 ± 0.2
4
4
1
2
3
1
2
3
1.27 ± 0.2
0.8 ± 0.1
1.27 ± 0.2
0.8 ± 0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
0.5 ± 0.2 2.5 ± 0.2
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
2.54 TYP.
2.54 TYP.
0.5 ± 0.2 2.5 ± 0.2
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
TO-263 (MP-25ZP)
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
No plating
10.0 ±0.3
4.45 ±0.2
7.88 MIN.
4
1.3 ±0.2
Gate
Body
Diode
0.025
0.5
0 .6 ± 0
.2
to 0.25
Gate
Protection
Diode
Source
0.75 ±0.2
1 2
2.54
3
0 to 8 ?
0.25
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding
the rated voltage may be applied to this device.
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Data Sheet D19797EJ1V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MICRF022YM-FS48 | IC RECEIVER ASK 300-440MHZ 8SOIC |
| 6496 | OSCILLOSCOPE PROBE 350 MHZ X10 |
| 6495 | OSCILLOSCOPE PROBE 250 MHZ X10 |
| 6102A | PROBE OSCILLOSCOPE 10:1 RATIO |
| 6499 | SCOPE PROBE 20/150 MHZ X1/X10 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP80N04NDG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N04NDG-S18-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 80A Tube 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SINGLE MOSFET, NCH, 40V, TO262 - Rail/Tube 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 |
| NP80N04NHE | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP80N04NHE-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP80N04NLG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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