- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录485 > NP80N04NUG-S18-AY (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH 40V 80A TO-262 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NP80N04NUG-S18-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 80A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.8 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
NP80N04NUG, NP80N04PUG
400
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
400
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
350
300
250
200
150
100
50
0
V GS = 10 V
Pulsed
NP80N04NUG
350
300
250
200
150
100
50
0
V GS = 10 V
Pulsed
NP80N04PUG
0
0.5
1
1.5
2
0
0.5
1
1.5
2
1000
V DS - Drain to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
5
100
10
1
0.1
0.01
T ch = ? 55 ° C
? 25 ° C
25 ° C
75 ° C
125 ° C
150 ° C
175 ° C
4
3
2
0.001
0.0001
V DS = 10 V
Pulsed
1
0
V DS = V GS
I D = 250 μ A
0
1
2
3
4
5
6
-75
-25
25
75
125
175
225
100
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
T ch = ? 55 ° C
? 25 ° C
25 ° C
T ch - Channel Temperature - ° C
10
75 ° C
125 ° C
150 ° C
175 ° C
V DS = 5 V
Pulsed
1
0.1
1
10
100
I D - Drain Current - A
Data Sheet D19799EJ1V0DS
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP80N055MDG-S18-AY | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
| NP80N055MHE-S18-AY | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
| NP80N055MLE-S18-AY | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
| NP82N03PUG-E1-AZ | MOSFET N-CH 30V 82A TO-263 |
| NP82N04MDG-S18-AY | MOSFET N-CH TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP80N04PDG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N04PDG-E1B-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 80A T/R 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SINGLE MOSFET, NCH, 40V, TO263ZP - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A MP-25K |
| NP80N04PDG-E2B-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N04PLG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N04PLG-E1B-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。