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参数资料
| 型号： | NP80N055KLE |
| 厂商： | NEC Corp. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 中文描述： | MOS场效应晶体管的开关N沟道功率场效应晶体管 |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 223K |
| 代理商： | NP80N055KLE |
Data Sheet D14097EJ6V0DS
6
NP80N055ELE, NP80N055KLE, NP80N055CLE, NP80N055DLE, NP80N055MLE, NP80N055NLE
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
24
Pulsed
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
R
D
Ω
0
50
4
8
12
0
50
100
150
I
D
= 40 A
16
20
10 V
5 V
V
GS
= 4.5 V
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1.0
I
F
0
1.5
V
F(S-D)
- Source to Drain Voltage - V
0.5
Pulsed
0.1
1
10
100
1000
0 V
V
GS
= 10 V
Figure14. CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
10
0.1
100
1000
10000
1
10
100
V
= 0 V
f = 1 MHz
C
oss
C
rss
C
iss
Figure15. SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
10
1
0.1
1
100
1000
10
100
t
f
t
r
t
d(on)
t
d(off)
V
DD
= 28 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 1
Ω
Figure16. REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
1000
I
F
- Diode Forward Current - A
t
r
di/dt = 100 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
1
0.1
10
1
10
100
100
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
V
G
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
10
20
40
60
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V
DD
= 44 V
28 V
11 V
V
DS
0
30
50
16
14
12
10
8
6
4
2
0
I
D
= 80 A
70
80
V
GS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP80N055KLE-E1-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NP80N055MHE | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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