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参数资料
| 型号： | NP80N055MLE-S18-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
NP80N055ELE, NP80N055KLE, NP80N055CLE, NP80N055DLE, NP80N055MLE, NP80N055NLE
<R>
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1)TO-263 (MP-25ZJ)
Note
2)TO-263 (MP-25ZK)
10 TYP.
4.8 MAX.
1.3 ± 0.2
No plating
10.0 ± 0.3
7.88 MIN.
4.45 ± 0.2
1.3 ± 0.2
4
4
0.025 to
0.25
1
2
3
P.
.5R
0.8
0 to
1.4 ± 0.2
0.7 ± 0.2
2.54 TYP.
0
2.54 TYP.
TY
R
TY
P.
0.5 ± 0.2
2.54
0.75 ± 0.2
0.5 ± 0.2
8 ο
1.Gate
2.Drain
1
2
3
0.25
3.Source
4.Fin (Drain)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
3)TO-220 (MP-25)
Note
4)TO-262 (MP-25 Fin Cut)
Note
10.6 MAX.
10.0 TYP.
φ 3.6 ± 0.2
4.8 MAX.
1.3 ± 0.2
10 TYP.
4.8 MAX.
1.3 ± 0.2
4
4
1
2
3
1 2 3
1.3 ± 0.2
1.3 ± 0.2
0.75 ± 0.1
0.5 ± 0.2
2.8 ± 0.2
0.75 ± 0.3
2.54 TYP.
2.54 TYP.
0.5 ± 0.2
2.8 ± 0.2
2.54 TYP.
2.54 TYP.
1.Gate
2.Drain
3.Source
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
4.Fin (Drain)
Note Not for new design
Data Sheet D14097EJ6V0DS
7
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PDF描述 |
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| NP80N055NHE | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NP80N055NHE-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP80N055NLE | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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