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参数资料
| 型号： | NP80N055NDG-S18-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.9 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
NP80N055MDG, NP80N055NDG, NP80N055PDG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
12
10
8
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
12
10
8
6
4
2
V GS = 4.5 V
10 V
Pulsed
6
4
2
V GS = 4.5 V
10 V
Pulsed
0
NP80N055MDG, NP80N055NDG
0
NP80N055PDG
1
10
100
1000
1
10
100
1000
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
20
I D = 40 A
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
20
I D = 40 A
16
Pulsed
16
Pulsed
12
8
4
0
NP80N055MDG, NP80N055NDG
12
8
4
0
NP80N055PDG
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
V GS - Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
16
14
12
V GS - Gate to Source Voltage - V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 4.5 V, I D = 35 A
10 V, 40 A
Pulsed
NP80N055MDG, NP80N055NDG
10
8
6
4
2
0
V GS = 4.5 V, I D = 35 A
10 V, 40 A
Pulsed
NP80N055PDG
-75
-25
25
75
125
175
225
-75
-25
25
75
125
175
225
6
T ch - Channel Temperature - ° C
Data Sheet D19796EJ1V0DS
T ch - Channel Temperature - ° C
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PDF描述 |
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