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参数资料
| 型号： | NP82N03PUG-E1-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 82A TO-263 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.8 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP82N03PUG
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
DESCRIPTION
ORDERING INFORMATION
The NP82N03PUG is N-channel MOS Field Effect
Transistor designed for high current switching applications.
FEATURES
? Channel temperature 175 degree rating
? Super low on-state resistance
R DS(on) = 2.8 m ? MAX. (V GS = 10 V, I D = 41 A)
? Low C iss : C iss = 6050 pF TYP.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C)
PART NUMBER
NP82N03PUG
PACKAGE
TO-263 (MP-25ZP)
(TO-263)
Drain to Source Voltage (V GS = 0 V)
Gate to Source Voltage (V DS = 0 V)
Drain Current (DC) (T C = 25°C)
V DSS
V GSS
I D(DC)
30
±20
±82
V
V
A
Drain Current (pulse)
Note1
I D(pulse)
±328
A
Total Power Dissipation (T A = 25°C)
Total Power Dissipation (T C = 25°C)
Channel Temperature
Storage Temperature
P T1
P T2
T ch
T stg
1.8
143
175
? 55 to +175
W
W
°C
°C
Repetitive Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Note2
Note2
I AR
E AR
47
221
A
mJ
Notes 1. PW ≤ 10 μ s, Duty Cycle ≤ 1%
2. T ch ≤ 150°C, V DD = 15 V, R G = 25 ? , V GS = 20 → 0 V
THERMAL RESISTANCE
Channel to Case Thermal Resistance
R th(ch-C)
1.05
°C/W
Channel to Ambient Thermal Resistance R th(ch-A)
83.3
°C/W
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Document No. D16857EJ1V0DS00 (1st edition)
Date Published June 2004 NS CP(K)
Printed in Japan
2004
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PDF描述 |
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参数描述 |
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