- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18782 > NP82N04MLG-S18-AY (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH TO-220 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NP82N04MLG-S18-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-220 |
| 标准包装： | 900 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.2 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
NP82N04MLG, NP82N04NLG
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate to Source Threshold Voltage
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(th)
TEST CONDITIONS
V DS = 40 V, V GS = 0 V
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = V GS , I D = 250 μ A
MIN.
1.4
TYP.
MAX.
1
± 10
2.5
UNIT
μ A
μ A
V
Forward Transfer Admittance
Note
| y fs |
V DS = 5 V, I D = 41 A
20
65
S
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
Note
R DS(on)1
R DS(on)2
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q G
Q GS
Q GD
V GS = 10 V, I D = 41 A
V GS = 4.5 V, I D = 41 A
V DS = 25 V,
V GS = 0 V,
f = 1 MHz
V DD = 20 V, I D = 41 A,
V GS = 10 V,
R G = 0 Ω
V DD = 32 V,
V GS = 10 V,
I D = 82 A
3.4
5.4
6000
580
370
26
68
73
11
100
19
32
4.2
8.5
9000
870
670
60
170
150
30
150
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Note
V F(S-D)
t rr
Q rr
I F = 82 A, V GS = 0 V
I F = 82 A, V GS = 0 V,
di/dt = 100 A/ μ s
0.9
43
47
1.5
V
ns
nC
Note Pulsed test
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
D.U.T.
R G = 25 Ω
50 Ω
L
V DD
PG.
D.U.T.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS
0
10%
V GS
90%
V GS = 20 → 0 V
V DS
90%
90%
V DD
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS
0
τ
V DS
Wave Form
V DS
0
t d(on)
10%
t r
10%
t d(off)
t f
Starting T ch
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t on
t off
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = 2 mA
R L
2
PG.
50 Ω
V DD
Data Sheet D19801EJ1V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPG2159T5K-E2-A | IC SWITCH SPDT 6-TSON |
| UPG2159T5K-A | IC SWITCH SPDT 6-TSON |
| UPG2158T5K-A | IC SWITCH SPDT 6-TSSON |
| UPG2157T5F-E2-A | IC SWITCH DPST 12-QFN |
| UPG2157T5F-A | IC SWITCH MMIC SPDT 12-QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP82N04MUG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP82N04MUG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP82N04NDG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP82N04NDG-S18-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SINGLE MOSFET, NCH, 40V, TO262 - Rail/Tube 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 40V 82A MP-25SK |
| NP82N04NLG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 82A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。