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参数资料
| 型号： | NP82N055NLE |
| 厂商： | NEC Corp. |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 中文描述： | MOS场效应晶体管的开关N沟道功率场效应晶体管 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 223K |
| 代理商： | NP82N055NLE |
Data Sheet D14098EJ6V0DS
4
NP82N055ELE, NP82N055KLE, NP82N055CLE, NP82N055DLE, NP82N055MLE, NP82N055NLE
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
Figure1. DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
d
0
25
50
75
100 125 150 175 200
20
40
60
80
100
T
C
- Case Temperature -
°
C
0
Figure2. TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
T
C
- Case Temperature -
°
C
P
T
0
25
50
75
100 125 150 175 200
175
150
125
100
75
50
25
0
Figure.3 FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
1
0.1
10
100
1000
1
10
100
T
C
= 25
°
C
Single Pulse
0.1
I
D(pulse)
R
DS(on)
Lmted
(V
GS
=10V)
I
D(DC)
PW=10
μ
s
100
μ
s
1ms
Powe DsDC
Figure4. SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
Starting T
ch
- Starting Channel Temperature -
°
C
A
25
50
75
100
125
150
175
350
300
250
200
150
100
50
0
50 A
72 A
51 mJ
289 mJ
250 mJ
I
= 17 A
Figure5. TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
r
t
°
C
10
0.01
0.1
1
100
1000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
Single Pulse
R
th(ch-A)
= 83.3
°
C/W
10
100
R
th(ch-C)
= 0.92
°
C/W
μ
μ
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP82N055NLE-S18-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP82N06PLG | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NP82N055PUG-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 82A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP82N055PUG-E1-AY/JM | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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