- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录485 > NP88N04KUG-E1-AZ (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH 40V 88A TO-263 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NP88N04KUG-E1-AZ |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 88A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.9 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP88N04KUG
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
SYMBOL
I DSS
I GSS
TEST CONDITIONS
V DS = 40 V, V GS = 0 V
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
MIN.
TYP.
MAX.
1
± 100
UNIT
μ A
nA
Gate to Source Threshold Voltage
Note
Forward Transfer Admittance
Note
V GS(th)
| y fs |
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V DS = 10 V, I D = 44 A
2.0
27
3.0
55
4.0
V
S
Drain to Source On-state Resistance
Note
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 44 A
2.3
2.9
m ?
Input Capacitance
C iss
V DS = 25 V
10000 15000
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q G
Q GS
Q GD
V GS = 0 V
f = 1 MHz
V DD = 20 V, I D = 44 A
V GS = 10 V
R G = 0 ?
V DD = 32 V
V GS = 10 V
I D = 88 A
910
550
43
104
107
22
165
45
55
1370
990
100
260
220
60
250
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Note
V F(S-D)
t rr
Q rr
I F = 88 A, V GS = 0 V
I F = 88 A, V GS = 0 V
di/dt = 100 A/ μ s
0.91
51
66
1.5
V
ns
nC
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
D.U.T.
R G = 25 ?
50 ?
L
V DD
PG.
D.U.T.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS
0
10%
V GS
90%
V GS = 20 → 0 V
V DS
90%
90%
V DD
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS
0
τ
V DS
Wave Form
V DS
0
t d(on)
10%
t r
10%
t d(off)
t f
Starting T ch
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t on
t off
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = 2 mA
R L
2
PG.
50 ?
V DD
Data Sheet D16855EJ1V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP88N04NUG-S18-AY | MOSFET N-CH 40V 88A TO-262 |
| NP88N055KUG-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 88A TO-263 |
| NP88N075MUE-S18-AY | MOSFET N-CH 75V 88A TO-220 |
| NP90N03VUG-E1-AY | MOSFET N-CH 30V 90A TO-252 |
| NP90N04MUG-S18-AY | MOSFET N-CH 40A 90A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP88N04MHE | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| NP88N04MHE-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NP88N04MHE-S18-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| NP88N04NHE | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| NP88N04NHE-S18-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。