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参数资料
| 型号： | NP88N055KUG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 88A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.9 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP88N055KUG
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
120
100
80
60
40
20
0
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
250
200
150
100
50
0
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
1000
T C - Case Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ° C
100
R DS(on) Limited
(at V GS = 10 V)
I D(pulse) = 352 A
PW = 100 μ s
10
I D(DC) = 88 A
DC
1 ms
1
0.1
T C = 25°C
Single pulse
10 ms
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
R th(ch-A) = 83.3°C/W
10
R th(ch-C) = 0.75°C/W
1
0.1
Single pulse
0.01
100 μ
1m
10 m
100 m 1
PW - Pulse Width - s
10
100
1000
Data Sheet D16856EJ1V0DS
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP88N075MUE-S18-AY | MOSFET N-CH 75V 88A TO-220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NP88N055MLE | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055MLE-S18-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055NHE | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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