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参数资料
| 型号： | NRVB0530T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 101K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 0.5A 30V SOD-123 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 500mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 430mV @ 500mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 130µA @ 30V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123 |
| 供应商设备封装： | SOD-123 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MBR0530, NRVB0530
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
V
V
RRM
RWM
VR
30
V
Average Rectified Forward Current
(Rated VR, TL
= 100
°C)
IF(AV)
0.5
A
Non?Repetitive Peak Surge Current
(Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60 Hz)
IFSM
5.5
A
Storage Temperature Range
Tstg
?65 to +150
°C
Operating Junction Temperature
TJ
?65 to +125
°C
Voltage Rate of Change (Rated VR)
dv/dt
1000
V/s
ESD Rating:
Machine Model = C
Human Body Model = 3B
> 400
> 8000
V
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance ?
Junction
?to?Ambient (Note 1)
RJA
206
°C/W
Thermal Resistance ?
Junction
?to?Lead
RJL
150
°C/W
1. 1 inch square pad size (1 x 0.5 inch for each lead) on FR4 board.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 2)
(iF
= 0.1 Amps, T
J
= 25
°C)
(iF
= 0.5 Amps, T
J
= 25
°C)
vF
0.375
0.43
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 2)
(Rated DC Voltage, TC
= 25
°C)
(VR
= 15 V, T
C
= 25
°C)
IR
130
20
A
2. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤
2%.
1
0.1
0.010.15
vF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Typical Forward Voltage
0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55
i
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)
104
1000
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Typical Reverse Current
5 101520 30354025
100
10
1
0
TJ
= 125
°C
75°C
25°C
-°C
75°C
25°C
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
TJ
= 125
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NRVB0540T1G | DIODE SCHOTTKY 0.5A 40V SOD-123 |
| NRVB1035G | IC DIODE SCHTKY 10A 35V TO-220AC |
| NRVB120ESFT1G | DIODE SCHOTTKY 1A 20V SOD-123 |
| NRVB120LSFT1G | DIODE SCHOTTKY 1A 20V SOD-123 |
| NRVB130T1G | DIODE SCHOTTKY 1A 30V SOD-123 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NRVB0530T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 , 0.5A, 30V SCHOTTK RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NRVB0540T1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 REC 0.5A 40V SHTY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NRVB0540T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 REC SCHKY 40V TR RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NRVB1035G | 功能描述:IC DIODE SCHTKY 10A 35V TO-220AC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:SWITCHMODE™ 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| NRVB1045MFST1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:10 A 45 V SCHOTTKY DIODE - Tape and Reel |
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