参数资料
型号: NRVBA160T3G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 90K
描述: DIODE SCHOTTKY 1A 60V SMA
标准包装: 5,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 60V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 510mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 200µA @ 60V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商设备封装: SMA
包装: 带卷 (TR)
MBRA160T3G, NRVBA160T3G
http://onsemi.com
3
Figure 1. Typical Forward Voltage
0.1 0.3 0.4 0.70.2 0.5
0.6 0.8
10
0.1
1
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD
CURRENT (AMPS)
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Maximum Forward Voltage
0.1 0.80.2 0.70.3 0.50.4 0.6
10
0.1
1
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD
CURRENT (AMPS)
Figure 3. Typical Reverse Current
06
0204010 30
50 50 6060
1E?05
1E?04
I
R
, INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT (A)
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Typical Capacitance
75°C
25°C
1E?03
1E?02
125°C
75°C
25°C
20
0204010 30 70
30
C, CAPACITANCE (pF)
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
40
50
1E?
125°C
60
70
80
Figure 5. Current Derating ?
Junction
?to?Lead
0110 120 130115 125
0.8
TL, LEAD TEMPERATURE (°C)
Figure 6. Forward Power Dissipation
1.2
1.6
2.0
SQUARE WAVE
dc
0
0 0.4 0.80.2 0.6
P
FO
, AVERAGE POWER DISSIPATION (W)
IO, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
0.2
0.4
135 155140
145
150
1 1.2
0.8
1.0
I
F
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
75°C
25°C
125°C
25°C
1.4
1.0
0.6
0.4
0.2
1.4 1.6
0.6
SQUARE WAVE
dc
1.8
TJ
= 150
°C
TJ
= 150
°C
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PDF描述
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参数描述
NRVBA1H100T3G 功能描述:肖特基二极管与整流器 1 A, 100 V SCHOTTKY RECT RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
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