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参数资料
| 型号： | NRVBB20100CTT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 95K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20A 100V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | SWITCHMODE™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 950mV @ 20A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100µA @ 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 20A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MBRB20100CTG, NRVBB20100CTT4G, NRVBBS20100CTT4G
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS (Per Leg)
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
V
V
RRM
RWM
VR
100
V
Average Rectified Forward Current Per Leg
(Rated VR, TC
= 155
°C) Total Device
IF(AV)
10
20
A
Peak Repetitive Forward Current
(Rated VR, Square Wave, 20 kHz, TC
= 150
°C)
IFRM
20
A
Non?Repetitive Peak Surge Current
(Surge Applied at Rated Load Conditions Halfwave, Single Phase, 60 Hz)
IFSM
150
A
Peak Repetitive Reverse Surge Current
(2.0 s, 1.0 kHz)
IRRM
0.5
A
Storage Temperature Range
Tstg
?65 to +175
°C
Operating Junction Temperature (Note 1)
TJ
?65 to +175
°C
Voltage Rate of Change (Rated VR)
dv/dt
10,000
V/s
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction?to?Ambient: dPD/dTJ
< 1/R
JA.
THERMAL CHARACTERISTICS (Per Leg)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance,
Junction?to?Case
Junction?to?Ambient (Note 2)
RJC
RJA
2.0
50
°C/W
2. When mounted using minimum recommended pad size on FR?4 board.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Leg)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 3)
(iF
= 10 Amp, T
C
= 125
°C)
(iF
= 10 Amp, T
C
= 25
°C)
(iF
= 20 Amp, T
C
= 125
°C)
(iF
= 20 Amp, T
C
= 25
°C)
vF
0.75
0.85
0.85
0.95
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 3)
(Rated dc Voltage, TJ
= 125
°C)
(Rated dc Voltage, TJ
= 25
°C)
iR
6.0
0.1
mA
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤
2.0%.
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping?
MBRB20100CTG
D2PAK
(Pb?Free)
50 Units / Rail
MBRB20100CTT4G
D2PAK
(Pb?Free)
800 Units / Tape & Reel
NRVBB20100CTT4G
D2PAK
(Pb?Free)
800 Units / Tape & Reel
NRVBBS20100CTT4G
D2PAK
(Pb?Free)
800 Units / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NRVBB30H60CTT4G | 功能描述:整流器 30A / 60V H-SERIES RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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