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参数资料
| 型号： | NRVBM140T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 173K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 1A 40V POWERMITE2 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | POWERMITE® |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 550mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 500µA @ 40V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-216AA |
| 供应商设备封装： | Powermite |
| 包装： | 带卷 (TR) |
       MBRM140T1G, NRVBM140T1G, MBRM140T3G, NRVBM140T3G http://onsemi.com 3 I R , MAXIMUM REVERSE CURRENT (AMPS) I R , REVERSE CURRENT (AMPS) Figure 3. Typical Reverse Current Figure 4. Maximum Reverse Current 40 0 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 10E?3 1.0E?3 100E?6 10E?6 1.0E?6 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 10 20 30 40 0 100E?6 10E?6 10 20 30 TJ = 85 ?C TJ = 25 ?C TJ = 85 ?C TJ = 25 ?C 100E?3 10E?3 1.0E?3 P FO , AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS) I O , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS) = 10 Ipk/Io = 5 Figure 5. Current Derating Figure 6. Forward Power Dissipation TL, LEAD TEMPERATURE (?C) IO, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS) 0.2 0 0 1.0 0.6 0.5 0.3 0.1 0.4 0.8 1.2 1.60.6 1.41.0 0.4 = SQUARE WAVE dc Ipk/Io Ipk/Io Ipk/Io = 20 0.2 0.7 0.8 0.9 35 65 85 9545 7555 115105 125 25 1.8 1.2 1.0 0.8 0.2 0 1.4 1.6 Ipk/Io = 20 Ipk/Io = 10 Ipk/Io = 5 Ipk/Io = SQUARE WAVE dc 0.6 0.4 FREQ = 20 kHz T J , DERATED OPERATING TEMPERATURE ( C) C, CAPACITANCE (pF) R, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) VR, DC REVERSE VOLTAGE (VOLTS) Figure 7. Capacitance Figure 8. Typical Operating Temperature Derating* 5.0 10 20 25 20 2530 35 30 3540 5.0 10 0 V 1000 100 10 15 40 75 0 115 95 85 15 105 125 * Reverse power dissipation and the possibility of thermal runaway must be considered when operating this device under any re- verse voltage conditions. Calculations of TJ therefore must include forward and reverse power effects. The allowable operating TJ may be calculated from the equation: T J = T Jmax ? r(t)(Pf + Pr) where r(t) = thermal impedance under given conditions, Pf = forward power dissipation, and Pr = reverse power dissipation This graph displays the derated allowable TJ due to reverse bias under DC conditions only and is calculated as T J = T Jmax ? r(t)Pr, where r(t) = Rthja. For other power applications further calculations must be performed. Rtja = 33.72 ?C/W 51?C/W 83.53?C/W 96?C/W TJ = 25 ?C 69?C/W |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NRVBM140T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY RECT RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NRVBS2040LT3G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 2A 40V SMB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| NRVBS240LT3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 REC SMB 2A 40V SHTKY TR RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NRVBS260T3G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Diode Schottky 60V 2A 2-Pin SMB T/R 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SBN BE SCHOTTKY - Tape and Reel |
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