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参数资料
| 型号： | NRVBS240LT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 106K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 2A 40V SMB |
| 标准包装： | 2,500 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 2A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 430mV @ 2A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2mA @ 40V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MBRS240LT3G, NRVBS240LT3G
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 5. Current Derating Figure 6. Forward Power Dissipation
100 120110
TL, LEAD TEMPERATURE (°C)
2.0
1.0
0
IO, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
140 1.0 1.50.5 2.0
0
1.6
1.2
1.0
0.4
0
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
I
O
150
0.6
P
FO
, AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
3.0
Freq = 20 kHz
RJL
= 18
°C/W
SQUARE WAVE
SQUARE WAVE
Ipk/Io =
Ipk/Io = 5.0
Ipk/Io = 10
Ipk/Io = 20
3.5
1.5
0.5
2.5
3.5
2.5 3.0
0.2
0.8
1.4
dc
130
dc
Figure 7. Capacitance Figure 8. Maximum Non?Repetitive
Forward Surge Current
Figure 9. Thermal Response
5.0 10 20 25 35 40 100030
10 100
1.0
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1000
100
PULSE WIDTH (SEC)
10000
10
1.0
C, CAPACITANCE (pF)
15
100
1000
SURGE CURRENT (AMPS)
TJ
= 25
°C
0.1
0.00001
t, TIME (s)
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
0.0001 0.001 0.01
1.0
10 100 1000
50%
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
Rtjl(t)
= R
tjl*r(t)
R , TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
T
10
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PDF描述 |
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