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参数资料
| 型号： | NRVBS330T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 101K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 3A 30V SMC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 500mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 2mA @ 40V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AB，SMC |
| 供应商设备封装： | SMC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MBRS320T3G, SBRS8320T3G, MBRS330T3G, NRVBS330T3G, MBRS340T3G,
SBRS8340T3G
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
0602025515 51510 30
35 40
1.E?06
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 3. Typical Reverse Current Figure 4. Maximum Reverse Current
I
R
, REVERSE CURRENT (AMPS)
TJ
= 25
°C
02
TJ
= 125
°C
TJ
= 100
°C
1.E?
1.E?04
1.E?03
1.E?
1.E?01
0202510 30
35 40
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
, MAXIMUM REVERSE CURRENT (AMPS)
TJ
= 25
°C
02
TJ
= 125
°C
TJ
= 100
°C
1.E?04
1.E?03
1.E?
1.E?01
090 100 110 120
150
TL, LEAD TEMPERATURE (°C)
Figure 5. Current Derating Figure 6. Forward Power Dissipation
130 140
I
O
, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
0
01230.5
1.5
2.5
3.5
4
IO, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
1.6
4.5 5
P
FO
, AVERAGE POWER DISSIPATION (W)
1
2
3
4
5
SQUARE WAVE
dc
0.2
0.4
0.6
0.8
1.8
2
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
SQUARE
WAVE
dc
IPK/IO
= 5
IPK/IO
=
1.E?05
1
1.2
1.4
1.E?05
Freq = 20 kHz
RJL
= 11
°C/W
Figure 7. Typical Capacitance
700
0
0 1620244812
28 32 40
36
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
100
C, CAPACITANCE (pF)
TJ
= 25
°C
200
300
400
500
600
TYPICAL CAPACITANCE AT 0 V = 658 pF
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