参数资料
型号: NS8MT-E3/45
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 125K
描述: DIODE GPP 8A 1000V PLASTIC TO220
标准包装: 1,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 1000V(1kV)
电流 - 平均整流 (Io): 8A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.1V @ 8A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 1000V
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商设备封装: TO-220AC
包装: 管件
‘? I NS8xT, NSF8xT, NSB8xT7 www'V'Shay'C°m Vishay General Semiconductor
ELEcTRIcAL cHARAcTERIsTIcs (TA = 25 0C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS
Maximuminstantaneousforward voltage
M exi m u m DC
reverse Cu rrent
at rated DCblocking voltage TJ : 100
Typical junction 4 0 V 1 MHZ
capacitance ' ’
Note(i) Pulse test: 300 us pulse Width, 1 % duty Cycle
THERMAL cHARAcTERIsTIcs (TA = 25 00 unless otherwise noted)
PARAMETER
Typical thermal resistance from junction to case
"E PREFERRED PIN UNIT WEIGHT (9) PACKAGE CODE?e
?e£31
?e
£31
?e
mm
N ote
ii) AEC-Q101 qumnied
Revision: 20-Jan-14 2 Document Number: 88690
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PDF描述
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参数描述
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