| 型号： | NSB8BT-E3/45 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 125K |
| 描述： | DIODE GPP 8A 100V PLAST TO263AB |
| 标准包装： | 1,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 8A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 100V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 管件 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EL7155CN | IC DVR PIN 40MHZ 3STATE 8-PDIP |
| NSB8AT-E3/45 | DIODE GPP 8A 50V PLASTIC TO263AB |
| EL7154CS | IC MONO PIN DVR HS 8-SOIC |
| EL7154CN | IC MONO PIN DVR HS 8-PDIP |
| LBM2016TR56J | INDUCTOR WOUND 0.56UH 5% 0806 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NSB8BTHE3/45 | 功能描述:整流器 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| NSB8BTHE3/81 | 功能描述:整流器 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| NSB8DT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Glass Passivated General Purpose Plastic Rectifier |
| NSB8DT/31 | 功能描述:整流器 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| NSB8DT/45 | 功能描述:整流器 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |