参数资料
型号: NSB8GTHE3/81
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 125K
描述: DIODE GPP 8A 400V PLAST TO263AB
标准包装: 800
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 400V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.1V @ 8A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 400V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263AB
包装: 带卷 (TR)
‘? I NS8xT, NSF8xT, NSB8xT7 www'V'Shay'C°m Vishay General Semiconductor
ELEcTRIcAL cHARAcTERIsTIcs (TA = 25 0C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS
Maximuminstantaneousforward voltage
M exi m u m DC
reverse Cu rrent
at rated DCblocking voltage TJ : 100
Typical junction 4 0 V 1 MHZ
capacitance ' ’
Note(i) Pulse test: 300 us pulse Width, 1 % duty Cycle
THERMAL cHARAcTERIsTIcs (TA = 25 00 unless otherwise noted)
PARAMETER
Typical thermal resistance from junction to case
"E PREFERRED PIN UNIT WEIGHT (9) PACKAGE CODE?e
?e£31
?e
£31
?e
mm
N ote
ii) AEC-Q101 qumnied
Revision: 20-Jan-14 2 Document Number: 88690
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PDF描述
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1N5402T-G RECTIFIER GP 200V 3.0A DO27
相关代理商/技术参数
参数描述
NSB8JT 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Glass Passivated General Purpose Plastic Rectifier
NSB8JT/31 功能描述:整流器 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
NSB8JT/45 功能描述:整流器 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
NSB8JT/81 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
NSB8JT-E3/31 功能描述:整流器 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel