| 型号： | NSB8MT-E3/81 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 125K |
| 描述： | DIODE GPP 8A 1000V PLAST TO263AB |
| 标准包装： | 800 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 8A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 1000V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RBC10DRYN | CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD |
| NSB8KT-E3/81 | DIODE GPP 8A 800V PLAST TO263AB |
| NSB8JT-E3/81 | DIODE GPP 8A 600V PLAST TO263AB |
| 0210200319 | CABLE FLAT FLEX 3" .50MM 30 POS |
| NSB8GT-E3/81 | DIODE GPP 8A 400V PLAST TO263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NSB8MTHE3/45 | 功能描述:整流器 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| NSB8MTHE3/81 | 功能描述:整流器 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| NSB9435T1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 3A 30V Lov VCEsat RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| NSB9435T1/D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Current Bias Resistor Transistor |
| NSB9435T1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Current Bias Resistor Transistor |