参数资料
型号: NSD914XV2T1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 79K
描述: DIODE SW 120MW 100V HS SOD523
产品变化通告: Copper Wire Change 19/May/2010
产品目录绘图: Rectifier SOD-523 Pkg
标准包装: 10
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 100V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1V @ 10mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr): 4ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 75V
电容@ Vr, F: 4pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-79,SOD-523
供应商设备封装: SOD-523
包装: 标准包装
产品目录页面: 1569 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: NSD914XV2T1GOSDKR
NSD914XV2T1
http://onsemi.com
2
Notes: 1. A 2.0 kΩ
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2.0 k
820
Ω
0.1 μF
DUT
VR
100 μH
0.1 μF
50 Ω
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50 Ω
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; MEASURED
at iR(REC)
= 1.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
Figure 2. Forward Voltage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
1.0
10
100
0.1
Figure 3. Leakage Current
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
0.001
0
I
1.0
0.1
0.01
10 20 30 40 50
I
1.0 1.2
0.2 0.4 0.6 0.8
Figure 4. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0
C
0.68
0.64
0.60
0.52
0.56
2.0 4.0 6.0 8.0
, FORWARD CURRENT (mA)
F
TA
= 85
°C
TA
= -40
°C
TA
= 25
°C
, REVERSE CURRENT ( A)
R
, DIODE CAPACITANCE (pF)
D
TA
= 25
°C
TA
= 55
°C
TA
= 85
°C
TA
= 150
°C
TA
= 125
°C
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