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参数资料
| 型号： | NSDEMP11XV6T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 51K |
| 描述： | DIODE SWITCH QUAD CA 80V SOT563 |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 产品目录绘图： | Rectifier SOT-563 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面： | 1569 (CN2011-ZH PDF) |
| 工具箱： | SMSIGDIODEA-KIT-ND - KIT SMALL SIGNAL DIODE DESIGN |
| 其它名称： | NSDEMP11XV6T1OSCT |
?
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
May, 2006 ? Rev. 3
1
Publication Order Number:
NSDEMP11XV6T1/D
NSDEMP11XV6T1,
NSDEMP11XV6T5
Common Anode Quad
Array Switching Diode
These Common Anode Epitaxial Planar QUAD Diodes are
designed for use in ultra high speed switching applications. The
NSDEMP11XV6T1 device is housed in the SOT?563 package which
is designed for low power surface mount applications, where board
space is at a premium.
Features
?
Fast trr
?
Low CD
?
These are Pb?Free Devices
MAXIMUM RATINGS (TA
= 25
°C)
Rating
Symbol
Value
Unit
Reverse Voltage
VR
80
Vdc
Peak Reverse Voltage
VRM
80
Vdc
Forward Current
IF
100
mAdc
Peak Forward Current
IFM
300
mAdc
Peak Forward Surge Current
I
(Note 1)
FSM
2.0
Adc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
(One Junction Heated)
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
357
(Note 2)
2.9
(Note 2)
mW
mW/°C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RJA
350
(Note 2)
°C/W
Characteristic
(Both Junctions Heated)
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
500
(Note 2)
4.0
(Note 2)
mW
mW/°C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RJA
250
(Note 2)
°C/W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
?55 to
+150
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. t = 1 S
2. FR?4 @ Minimum Pad
http://onsemi.com
SOT?563
CASE 463A
PLASTIC
1
MARKING DIAGRAM
P9 M
(1)
(2)
(3)
(4) (5) (6)
Device Package Shipping?
ORDERING INFORMATION
NSDEMP11XV6T1 SOT?563* 4000/Tape & Reel
NSDEMP11XV6T5 8000/Tape & ReeSOT?563*
l
P9 = Device Code
M = Date Code
= Pb?Free Package
NSDEMP11XV6T1G 4000/Tape & ReeSOT?563*
l
NSDEMP11XV6T5G 8000/Tape & ReeSOT?563*
l
?For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
*This package is inherently Pb?Free.
(Note: Microdot may be in either location)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95D156K035CSSS | CAP TANT 15UF 35V 10% 2917 |
| VE-BN2-CW-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 15V 100W |
| VE-BN4-CW-F3 | CONVERTER MOD DC/DC 48V 100W |
| T95D277M004CSSS | CAP TANT 270UF 4V 20% 2917 |
| RH-1512D/HP | CONV DC/DC 1W 15VIN +/-12VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NSDEMP11XV6T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Common Anode Quad Array Switching Diode |
| NSDEMP11XV6T1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Common Anode Quad Array Switching Diode |
| NSDEMP11XV6T1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA Quad Common Anode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| NSDEMP11XV6T5 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| NSDEMP11XV6T5G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA Quad Common Anode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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