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参数资料
| 型号： | NSDEMP11XV6T5 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 51K |
| 描述： | DIODE SW ARRAY QUAD 80V SOT-563 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 8,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NSDEMP11XV6T1, NSDEMP11XV6T5
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C)
Characteristic
Symbol
Condition
Min
Max
Unit
Reverse Voltage Leakage Current
IR
VR
= 70 V
?
0.1
Adc
Forward Voltage
VF
IF
= 100 mA
?
1.2
Vdc
Reverse Breakdown Voltage
VR
IR
= 100
A
0
?
Vdc
Diode Capacitance
CD
VR
= 6.0 V, f = 1.0 MHz
?
3.5
pF
Reverse Recovery Time
trr
(Note 3)
IF
= 5.0 mA, V
R
= 6.0 V, R
L
= 100
, Irr
= 0.1 I
R
?
4.0
ns
3. trr
Test Circuit for NSDEMP11XV6T1 in Figure 4.
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
100
0.1
0.2 0.4
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.6 0.8 1.0
1.2
10
1.0
10
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
0.001
10 20 30 40
50
1.75
0.750
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.5
1.25
1.0
C
D
, DIODE CAPACITANCE (pF)
2468
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 1. Forward Voltage Figure 2. Reverse Current
Figure 3. Diode Capacitance
TA
= 150
°C
TA
= 125
°C
TA
= 85
°C
TA
= 55
°C
TA
= 25
°C
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
TA
= 85
°C
TA
= ?
°C
TA
= 25
°C
A
RL
tr
tp
t
10%
90%
VR
tp
= 2
s
tr
= 0.35 ns
IF
trr
t
Irr
= 0.1 I
R
IF
= 5.0 mA
VR
= 6 V
RL
= 100
RECOVERY TIME EQUIVALENT TEST CIRCUIT
INPUT PULSE OUTPUT PULSE
Figure 4. Reverse Recovery Time Test Circuit for the NSDEMP11XV6T1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NSR15DW1T1G | DIODE SCHOTTKY DUAL 30MA15V SC88 |
| NSR15SDW1T2G | DIODE SCHOTTKY RF DUAL 15V SC-88 |
| NSR15TW1T2G | DIODE SCHOTTKY TRPL 30MA15V SC88 |
| NSR30CM3T5G | DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT-723 |
| NTSB20120CT-1G | DIODE SCHOTTKY 10A 120V I2PAK-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NSDEMP11XV6T5G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA Quad Common Anode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| NSDEV7520-GB63 | 制造商:Digi International Inc 功能描述:KIT BASIC NS7520 NET+WORKS |
| NSDEV7520-GC63 | 制造商:Digi International Inc 功能描述:KIT COMPLETE NS7520 NET+WORKS |
| NSDEV7520-SLC63 | 制造商:Digi International Inc 功能描述:KIT NS7520 NET+WORKS |
| NSDEV7520-TC63 | 制造商:Digi International Inc 功能描述:KIT COMPLETE NS7520 NET+WORKS |
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