参数资料
型号: NSR15SDW1T2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 55K
描述: DIODE SCHOTTKY RF DUAL 15V SC-88
产品变化通告: Product Discontinuation 02/Jan/2007
标准包装: 3,000
二极管类型: 肖特基 - 1 对隔离式
电压 - 峰值反向(最大): 15V
电流 - 最大: 30mA
电容@ Vr, F: 1pF @ 0V,1MHz
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SC-88
包装: 带卷 (TR)
NSR15SDW1T1 NSR15SDW1T2
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Breakdown Voltage
(IR
= 10
A)
VBR
15
20
?
V
Reverse Leakage (VR
= 1 V)
IR
?
2
50
nA
Forward Voltage (IF
= 1 mA)
VF1
?
390
415
mV
Forward Voltage (IF
= 10 mA)
VF2
?
530
680
mV
Delta VF
(I
F
= 1 mA, All Diodes)
VF
?
1
15
mV
Capacitance (VF
= 0 V, f = 1 MHz)
CT
?
0.8
1
pF
Figure 1. Forward Current versus Forward
Voltage at Temperatures
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
100
10
1
0.1
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.01
0
Figure 2. Reverse Current versus Reverse
Voltage
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
15
10
5
1
0
10 k
1 k
100
10
100 k
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
I
R
, REVERSE CURRENT (nA)
Figure 3. Total Capacitance versus Reverse
Voltage
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
1
0.9
0.7
0.6
8
6
5
4
3
2
1
0.5
0
Figure 4. Dynamic Resistance versus Forward
Current
IF, FORWARD CURRENT (mA)
100
10
1
1
0.1
100
10
1000
C
T
, CAPACITANCE (pF)
R
D
, DYNAMIC RESISTANCE (
)
7
0.8
125°C
?25°C
75°C
25°C
125°C
75°C
25°C
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PDF描述
NSR15TW1T2G DIODE SCHOTTKY TRPL 30MA15V SC88
NSR30CM3T5G DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT-723
NTSB20120CT-1G DIODE SCHOTTKY 10A 120V I2PAK-3
NTSB30120CTG DIODE SCHOTTKY 15A 120V D2PAK-3
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参数描述
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