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参数资料
| 型号： | NT5DS32M8AW-8B |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 256Mb Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 256MB双数据速率SDRAM |
| 文件页数： | 25/78页 |
| 文件大小： | 1534K |
| 代理商： | NT5DS32M8AW-8B |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页当前第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页
NT5DS64M4AT NT5DS64M4AW
NT5DS32M8AT NT5DS32M8AW
256Mb Double Data Rate SDRAM
REV 1.1
12/2001
25
NANYA TECHNOLOGY CORP
. All rights reserved.
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
Random Read Accesses: CAS Latencies (Burst Length = 2, 4 or 8)
DOa-n
CAS Latency = 2
Read
Read
Read
NOP
NOP
Read
DOa-b
DOa-n'
DOa-x
DOa-x'
DOa-b’
DOa-g
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DO a-n, etc. = data out from bank a, column n etc.
n' etc. = odd or even complement of n, etc. (i.e., column address LSB inverted).
Reads are to active rows in any banks.
Shown with nominal t
AC
, t
DQSCK
, and t
DQSQ
.
Don’t Care
BAa, COL n
BAa, COL x
BAa, COL b
BAa, COL g
CL=2
DOa-n
CAS Latency = 2.5
Read
Read
Read
NOP
NOP
Read
DOa-b
DOa-n'
DOa-x
DOa-x'
DOa-b’
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
BAa, COL n
BAa, COL x
BAa, COL b
BAa, COL g
CL=2.5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| NT5DS64M4AW-75B | 256Mb Double Data Rate SDRAM |
| NT5DS64M4AW-7K | 256Mb Double Data Rate SDRAM |
| NT5DS64M4AW-8B | 256Mb Double Data Rate SDRAM |
| NT5DS32M8AW | 256Mb DDR333/300 SDRAM |
| NT5DS32M8AW-6 | 256Mb DDR333/300 SDRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NT5DS32M8CS | 制造商:NANOAMP 制造商全称:NANOAMP 功能描述:256Mb DDR Synchronous DRAM |
| NT5DS32M8CS-5T | 制造商:NANOAMP 制造商全称:NANOAMP 功能描述:256Mb DDR Synchronous DRAM |
| NT5DS32M8CS-6K | 制造商:NANOAMP 制造商全称:NANOAMP 功能描述:256Mb DDR Synchronous DRAM |
| NT5DS32M8CT | 制造商:NANOAMP 制造商全称:NANOAMP 功能描述:256Mb DDR Synchronous DRAM |
| NT5DS32M8CT-5T | 制造商:NANOAMP 制造商全称:NANOAMP 功能描述:256Mb DDR Synchronous DRAM |
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