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参数资料
| 型号： | NTB125N02RT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jun/2007 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3440pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.98W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTB125N02RT4OSCT |
NTB125N02R, NTP125N02R
1
Normalized to R q JC at Steady State
0.1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GBC07DRTI-S13 | CONN EDGECARD 14POS .100 EXTEND |
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| ABM8-18.432MHZ-B2-T | CRYSTAL 18.432MHZ 18PF SMD |
| ABM8-24.000MHZ-B2-T | CRYSTAL 24.000MHZ 18PF SMD |
| ABM8-22.1184MHZ-B2-T | CRYSTAL 22.1184MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB125N02RT4G | 功能描述:MOSFET 24V 125A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB12N50 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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| NTB12N50T4 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| NTB13N10 | 功能描述:MOSFET 100V 13A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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