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参数资料
| 型号： | NTB18N06 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jun/2007 Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 48.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTP18N06, NTB18N06
32
V GS = 10 V
8V
32
V DS ≥ 10 V
9V
24
16
7V
6.5 V
6V
5.5 V
24
16
T J = 25 ° C
8
5V
4.5 V
8
T J = 100 ° C
T J = ?55 ° C
0
0
1
2
3
4
5
0
3
4
5
6
7
8
0.2
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS = 10 V
0.2
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
V GS = 15 V
0.16
T J = 100 ° C
0.16
0.12
0.12
T J = 100 ° C
0.08
T J = 25 ° C
0.08
T J = 25 ° C
0.04
0
T J = ?55 ° C
0.04
0
T J = ?55 ° C
0
4
8
12
16
20
24
28
32
0
4
8
12
16
20
24
28
32
2
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?to?Source Voltage
1000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.8
1.6
1.4
1.2
1
I D = 7.5 A
V GS = 10 V
100
10
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 100 ° C
0.8
0.6
?50 ?25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ABLS-4.000MHZ-L4Q-T | CRYSTAL 4.000000 MHZ 18PF SMD |
| FXO-HC736R-22.5792 | OSC 22.5792 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| ASA-64.000MHZ-L-T3 | OSC 64.000 MHZ 3.3V SMD |
| ABLS-13.0625MHZ-10-K4Q-T | CRYSTAL 13.06250 MHZ 10PF SMD |
| NTB13N10G | MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB18N06G | 功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB18N06L | 功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB18N06LG | 功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB18N06LT4 | 功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB18N06LT4G | 功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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