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参数资料
| 型号： | NTB18N06L |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 7.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 48.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTP18N06L, NTB18N06L
SAFE OPERATING AREA
100
V GS = 15 V
70
I D = 11 A
10
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
1 ms
10 m s
100 m s
60
50
40
1
R DS(on) LIMIT
10 ms
dc
30
20
0.1
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10
0
0.1
1
10
100
25
50 75 100 125
150
175
1.0
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
D = 0.5
0.2
0.1
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
0.01
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB18N06G | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK |
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| NTB18N06 | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTB18N06LT4 | 功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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