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参数资料
| 型号： | NTB18N06LT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 24/Jan/2011 |
| 产品目录绘图： | MOSFET D2PAK |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 7.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 48.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTB18N06LT4GOSDKR |
NTP18N06L, NTB18N06L
32
24
8V
V GS = 10 V
6V
5V
32
24
V DS ≥ 10 V
4.5 V
16
4V
16
8
3.5 V
3V
8
T J = 25 ° C
T J = 100 ° C
T J = ?55 ° C
0
0
2
4
6
8
0
1
2
3
4
5
6
7
0.32
0.24
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS = 5 V
T J = 100 ° C
0.32
0.24
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
V GS = 10 V
0.16
T J = 25 ° C
0.16
T J = 100 ° C
0.08
T J = ?55 ° C
0.08
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0
0
0
8
16
24
32
0
8
16
24
32
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?to?Source Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2
1.8
1.6
I D = 7.5 A
V GS = 5 V
10,000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
100
1.2
1
0.8
10
T J = 100 ° C
0.6
?50 ?25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32522N6154J | CAP FILM 0.15UF 450VDC RADIAL |
| B32620A6562J289 | FILM CAP 5.6NF 5% 630V |
| 0041.9156.5127 | SWITCH PUSH SPST-NO 0.2A 60V |
| 0041.9158.3117 | SWITCH PB NON-ILL SPST-NO 1P RND |
| SRF1006-202Y | INDUCTOR COMMN MODE 2000UH 0.40A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB18N06T4 | 功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB18N06T4G | 功能描述:MOSFET 60V 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB22N06 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| NTB22N06L | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| NTB22N06LT4 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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