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参数资料
| 型号： | NTB30N06T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 09/Jan/2008 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 88.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTP30N06, NTB30N06
60
50
V GS = 10 V
9V
8V
60
50
V DS ≥ 10 V
7V
40
30
6.5 V
6V
40
30
20
10
5.5 V
5V
20
10
T J = 25 ° C
0
4.5 V
0
T J = 100 ° C
T J = ?55 ° C
0
1
2
3
4 5
6
2
4
6
8
10
0.09
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
0.09
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.08
0.07
0.06
0.05
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
0.08
0.07
0.06
0.05
V GS = 15 V
T J = 100 ° C
0.04
0.03
0.02
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0.04
0.03
0.02
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0
0
10
20
30
40
50
60
0
0
10
20
30
40
50
60
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?to?Source Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2.2
2
I D = 15 A
V GS = 10 V
10000
V GS = 0 V
1.8
1.6
1.4
1.2
1000
100
T J = 150 ° C
1
0.8
10
T J = 100 ° C
0.6
?50 ?25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB30N06LG | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK |
| FXO-HC736R-59.94161 | OSC 59.94161 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| ABLS-19.6608MHZ-L4Q-T | CRYSTAL 19.66080 MHZ 18PF SMD |
| 940C20P33K-F | CAP FILM 0.33UF 2KVDC AXIAL |
| B82731M2501A30 | D CORE DBL CHOKE 47MH 0.5A VERT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB30N20 | 功能描述:MOSFET 200V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB30N20G | 功能描述:MOSFET 200V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB30N20T4 | 功能描述:MOSFET 200V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB30N20T4G | 功能描述:MOSFET 200V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB-3402 | 制造商:Quest Technology International Inc 功能描述: |
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