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参数资料
| 型号： | NTB4302G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 74A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 37A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 80W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTP4302, NTB4302
6000
5
30
5000
V DS = 0 V
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4
V DS
Q T
V GS
24
4000
3
Q 1
Q 2
18
3000
C rss
C iss
2
12
2000
1000
C oss
C rss
1
I D = 37 A
T J = 25 ° C
6
0
10
V GS 0 V DS
10
20
30
0
0
10
20
30
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage versus Total Charge
1000
V DD = 24 V
I D = 20 A
25
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
t d(off)
t f
20
100
t r
15
10
10
t d(on)
5
1
0
1
10
100
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variations
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
1000
100
Mounted on 2 ″ sq. FR4 board (1 ″ sq. 2 oz. Cu 0.06 ″
thick single sided) with one die operating, 10 s max.
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10 m s
800
700
600
500
400
I D = 17 A
10
100 m s
1 ms
10 ms
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
300
200
100
PACKAGE LIMIT
1
0
0.1
1
10
100
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTB4302T4 | 功能描述:MOSFET 30V 74A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB4302T4G | 功能描述:MOSFET 30V 74A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NTB45N06G | 功能描述:MOSFET 60V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB45N06L | 功能描述:MOSFET 60V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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