参数资料
型号: NTB6410ANG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
标准包装: 75
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 76A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 13 毫欧 @ 76A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4500pF @ 25V
功率 - 最大: 188W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 管件
NTB6410AN, NTP6410AN, NVB6410AN
1
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.001
0.01
SINGLE PULSE
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1
1.0
10
100
1000
t, PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
NTB6410ANG
NTB6410ANT4G
NTP6410ANG
NVB6410ANT4G
Device
Package
D 2 PAK
(Pb ? Free)
D 2 PAK
(Pb ? Free)
TO ? 220
(Pb ? Free)
D 2 PAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
50 Units / Rail
800 / Tape & Reel
50 Units / Rail
800 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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参数描述
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NTB6411AN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 72 A, 14 mΩ
NTB6411ANG 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 72A 14MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB6411ANT4G 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB6412AN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mΩ