参数资料
型号: NTB6411ANT4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
产品目录绘图: MOSFET D2PAK
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 72A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14 毫欧 @ 72A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3700pF @ 25V
功率 - 最大: 188W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 标准包装
其它名称: NTB6411ANT4GOSDKR
NTB6411AN, NTP6411AN, NVB6411AN
PACKAGE DIMENSIONS
D 2 PAK 3
CASE 418B ? 04
ISSUE K
G
P
? B ?
4
S
1 2 3
? T ?
SEATING
PLANE
D 3 PL
0.13 (0.005)
VARIABLE
CONFIGURATION
ZONE
M
T B
R
M
K
C
H
A
N
E
J
V
W
W
U
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 418B ? 01 THRU 418B ? 03 OBSOLETE,
NEW STANDARD 418B ? 04.
INCHES MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX
A 0.340 0.380 8.64 9.65
B 0.380 0.405 9.65 10.29
C 0.160 0.190 4.06 4.83
D 0.020 0.035 0.51 0.89
E 0.045 0.055 1.14 1.40
F 0.310 0.350 7.87 8.89
G 0.100 BSC 2.54 BSC
H 0.080 0.110 2.03 2.79
J 0.018 0.025 0.46 0.64
K 0.090 0.110 2.29 2.79
L 0.052 0.072 1.32 1.83
M 0.280 0.320 7.11 8.13
N 0.197 REF 5.00 REF
P 0.079 REF 2.00 REF
R 0.039 REF 0.99 REF
S 0.575 0.625 14.60 15.88
V 0.045 0.055 1.14 1.40
STYLE 2:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
M
F
VIEW W ? W
1
L
M
F
VIEW W ? W
2
L
M
F
VIEW W ? W
3
L
SOLDERING FOOTPRINT*
10.49
8.38
16.155
2X
3.504
2X
1.016
5.080
PITCH
DIMENSIONS: MILLIMETERS
*For additional information on our Pb ? Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
6
相关PDF资料
PDF描述
AVL3205619 SWITCH SNAP FS-T PLUNG GOLD SLD
1.74506.0511600 SWITCH CAP INDICATOR SQ BLU
559-2501-027F LED PMI SNAP-IN ORANGE PVC FREE
558-1501-027F LED PMI SNAP-IN GREEN PVC FREE
JF01PC INDICATOR SQUARE RED PC
相关代理商/技术参数
参数描述
NTB6412AN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mΩ
NTB6412AN_12 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET
NTB6412ANG 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 58A 18MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB6412ANT4G 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB6413AN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 mΩ