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参数资料
| 型号： | NTB75N03R |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1333pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTB75N03ROS |
NTB75N03R, NTP75N03R
SAFE OPERATING AREA
1000
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100
10 m s
100 m s
10
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
dc
1
PACKAGE LIMIT
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P (pk)
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
SINGLE PULSE
0.01
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
NTP75N03R
NTB75N03R
NTB75N03RG
NTB75N03RT4
NTB75N03RT4G
Device
Package
TO?220AB
D 2 PAK
D 2 PAK
(Pb?Free)
D 2 PAK
D 2 PAK
Shipping ?
50 Units / Rail
50 Units / Rail
50 Units / Rail
800 Tape & Reel
800 Tape & Reel
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AML21EBA2AC | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
| PVZ3K224E01R00 | TRIMMER 220K OHM 0.1W SMD |
| AML21FBA2AB | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V |
| NTP75N03R | MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB |
| PVZ3K224E01B00 | TRIMMER 220K OHM 0.1W SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB75N03RG | 功能描述:MOSFET 25V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N03RT4 | 功能描述:MOSFET 25V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N03RT4G | 功能描述:MOSFET 25V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N06 | 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N06G | 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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