参数资料
型号: NTB90N02T4G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET PWR N-CHAN 24V 90A D2PAK
产品变化通告: Product Obsolescence 14/Apr/2010
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 24V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 90A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.8 毫欧 @ 90A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2120pF @ 20V
功率 - 最大: 85W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: NTB90N02T4GOSCT
NTB90N02, NTP90N02
PACKAGE DIMENSIONS
TO?220
CASE 221A?09
ISSUE AA
H
Q
Z
L
V
G
B
4
1 2 3
N
D
A
K
F
T
U
S
R
J
C
?T?
SEATING
PLANE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
INCHES MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX
A 0.570 0.620 14.48 15.75
B 0.380 0.405 9.66 10.28
C 0.160 0.190 4.07 4.82
D 0.025 0.035 0.64 0.88
F 0.142 0.147 3.61 3.73
G 0.095 0.105 2.42 2.66
H 0.110 0.155 2.80 3.93
J 0.018 0.025 0.46 0.64
K 0.500 0.562 12.70 14.27
L 0.045 0.060 1.15 1.52
N 0.190 0.210 4.83 5.33
Q 0.100 0.120 2.54 3.04
R 0.080 0.110 2.04 2.79
S 0.045 0.055 1.15 1.39
T 0.235 0.255 5.97 6.47
U 0.000 0.050 0.00 1.27
V 0.045 ??? 1.15 ???
Z ??? 0.080 ??? 2.04
http://onsemi.com
7
STYLE 5:
PIN 1.
2.
3.
4.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
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PDF描述
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MMBF170LT3G MOSFET PWR 60V 500MA SOT-23
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FXO-HC535-33.3333 OSC 33.3333 MHZ 3.3V HCMOS SMD
FXO-HC535-36 OSC 36 MHZ 3.3V HCMOS SMD
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