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参数资料
| 型号： | NTD12N10T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 12A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 165 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.28W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTD12N10T4GOSDKR |
NTD12N10
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
24
20
16
V GS = 10 V
9V
8V
7.5 V
7V
T J = 25 ° C
6.5 V
6V
24
20
16
V DS ≥ 10 V
12
12
8
4
5.5 V
5V
8
4
T J = 25 ° C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
4.5 V
8 9
10
0
0
1
T J = 100 ° C
2 3
4
5
T J = ? 55 ° C
6 7
8 9
10
0.5
0.4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS = 10 V
0.2
0.175
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
0.3
T J = 100 ° C
0.15
V GS = 10 V
0.2
0.1
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.125
V GS = 15 V
0
0
4
8
12
16
20
24
0.1
0
4
8
12 16
20
24
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
3
2.5
2
I D = 6 A
V GS = 10 V
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.5
1
0.5
100
T J = 100 ° C
0
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
20
30
40
50
60
70 80 90
100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTD14N03R-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 14 Amps, 25 Volts N−Channel DPAK |
| NTD14N03R-1G | 功能描述:MOSFET 25V 14A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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