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参数资料
| 型号： | NTD20N06T4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1015pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.36W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTD20N06T4OS |
NTD20N06, NTDV20N06
40
32
V GS = 10 V
9V
8V
7V
6.5 V
6V
40
32
V DS ≥ 10 V
24
16
5.5 V
24
16
8
0
0
1
2
3
4
5V
4.5 V
5
8
0
2.6
T J = 25 ° C
T J = 100 ° C
3.4 4.2
T J = ? 55 ° C
5 5.8
6.6
7.4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.065
0.055
0.045
0.035
0.025
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.065
0.055
0.045
0.035
0.025
V GS = 15 V
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.015
0
8
16
24
32
40
0.015
0
8
16
24
32
40
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
I D = 10 A
V GS = 10 V
10000
1000
100
10
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
0.8
0.6
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ABM11-30.000MHZ-B7G-T | CRYSTAL 30.0000 MHZ 10PF SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD20N06T4G | 功能描述:MOSFET 60V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD20N08/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:80 V Power MOSFET |
| NTD20P06L | 功能描述:MOSFET -60V -15.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD20P06L-001 | 功能描述:MOSFET -60V -15.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD20P06L-1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK |
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