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参数资料
| 型号： | NTD20P06L-1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 7.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 65W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
NTD20P06L, NTDV20P06L
2400
2200
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
2000
1800
1600
1400
C iss
1200
1000
800
600
400
200
0
C rss
C iss
C oss
C rss
? 10
? 5
0
5
10
15
20
25
? V GS
? V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE
VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
7.5
6.25
I D = ? 15 A
T J = 25 ° C
60
50
5.0
Q G
40
3.75
V DS
Q gs
Q GD
V GS
30
2.5
1.25
0
20
10
0
0
4
8
12
16
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
20
100
V DD = ? 30 V
I D = ? 15 A
V GS = ? 5 V
t R
15
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t F
10
10
t d(off)
t d(on)
5
1
1
10
R g , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
100
0
0
0.25 0.5 0.75 1 1.25 1.5 1.75
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
Current
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PDF描述 |
|---|---|
| ASFLM1-12.000MHZ-L-C-T | OSC MEMS 12.000 MHZ 3.0V SMD |
| NTD20N06LG | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK |
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| NTD20N06L-1G | MOSFET N-CH 60V 20A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD20P06LG | 功能描述:MOSFET -60V -15.5A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD20P06LG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 15.5A D-PAK |
| NTD20P06LT4 | 功能描述:MOSFET -60V -15.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD20P06LT4G | 功能描述:MOSFET -60V -15.5A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD20P06LT4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 15.5A D-PAK |
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