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参数资料
| 型号： | NTD20P06LG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 7.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 65W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTD20P06LG-ND NTD20P06LGOS |
NTD20P06L, NTDV20P06L
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
40
35
30
25
20
V GS = ? 10 V
V GS = ? 9 V
V GS = ? 8 V
V GS = ? 7 V
V GS = ? 6 V
V GS = ? 5.5 V
V GS = ? 5 V
V GS = ? 4.5 V
40
30
20
T J = ? 55 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
15
V GS = ? 4 V
10
5
V GS = ? 3.5 V
V GS = ? 3 V
10
0
T J = 25 ° C
0
VDS w 10 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0.5
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.25
? V DS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.45
0.4
0.35
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
V GS = ? 5 V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.225
0.2
0.175
0.15
0.125
0.1
0.075
0.05
0.025
T J = 25 ° C
V GS = ? 5 V
V GS = ? 10 V
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
I D = ? 7.5 A
V GS = ? 5 V
10000
1000
100
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
1
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD20P06LG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 15.5A D-PAK |
| NTD20P06LT4 | 功能描述:MOSFET -60V -15.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD20P06LT4G | 功能描述:MOSFET -60V -15.5A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD20P06LT4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 15.5A D-PAK |
| NTD22 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述: |
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