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参数资料
| 型号： | NTD24N06G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 24A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 09/Jan/2008 |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 48nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.36W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 管件 |
NTD24N06
50
50
V GS = 10 V
7V
V DS ≥ 10 V
40
9V
40
30
20
8V
6V
5.5 V
30
20
T J = 25 ° C
10
5V
10
4.5 V
T J = 100 ° C
T J = ?55 ° C
0
0
1
2
3
4
0
2
3
4
5
6
7
8
0.08
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS = 10 V
0.08
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
V GS = 15 V
0.06
0.04
0.02
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0.06
0.04
0.02
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0
0
10
20
30
40
50
0
0
10
20
30
40
50
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?to?Source Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2
1.8
1.6
I D = 12 A
V GS = 10 V
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
100
1.2
1
0.8
0.6
10
1
T J = 100 ° C
?50 ?25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 252B203B60NB | POT JOYSTICK 20K OHM W/SWITCH |
| 252A203B60NB | POT JOYSTICK 20K OHM W/SWITCH |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD24N06L | 功能描述:MOSFET 24V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD24N06L-001 | 功能描述:MOSFET 24V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NTD24N06L-1G | 功能描述:MOSFET 24V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD24N06LG | 功能描述:MOSFET 24V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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