- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18538 > NTD25P03LG (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 30V 25A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTD25P03LG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 25A DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 25A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1260pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTD25P03LG-ND NTD25P03LGOS |
NTD25P03L, STD25P03L
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P (pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.01
1.0E ? 05
1.0E ? 04
1.0E ? 03
1.0E ? 02
1.0E ? 01
1.0E+00
1.0E+01
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
ORDERING INFORMATION
Device
NTD25P03LT4G
STD25P03LT4G
Package
DPAK
(Pb ? Free)
DPAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
2500 / Tape & Reel
2500 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AML22CBB3BC | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 0.1A 125V |
| P160KN2-4QC20B10K | POT ROTARY 10K OHM 16MM PC PIN |
| NTD23N03RG | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK |
| P090L-02F25BR10K | POT ROTARY 10K OHM 9MM SNAPIN |
| GLAA01C-Q01 | SWITCH ROLLER PLUNGER SNAP SPDT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD25P03LG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -30V -25A D-PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -30V, -25A, D-PAK |
| NTD25P03LRL | 功能描述:MOSFET -30V -25A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD25P03LRLG | 功能描述:MOSFET PFET 30V 25A LL TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD25P03LT4 | 功能描述:MOSFET -30V -25A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD25P03LT4G | 功能描述:MOSFET -30V -25A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。