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参数资料
| 型号： | NTD2955PT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTD2955PT4G-ND NTD2955PT4GOSTR |
NTD2955, NVD2955
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
P (pk)
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
0.01
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
READ TIME AT t 1
T J(pk) - T C = P (pk) R q JC (t)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTD2955T4 | 功能描述:MOSFET -60V -12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD2955T4G | 功能描述:MOSFET -60V -12A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTD2955T4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -60V 12A D-PAK |
| NTD2955T4G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:NTD Series P-Channel 60 V 155 mOhm 55 W Tab Mount Power MOSFET - TO-252 |
| NTD30 | 制造商:EDI 制造商全称:Electronic devices inc. 功能描述:HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS |
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